Infineon BSP149

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Enclosure

TO 261 4

Manuf. code

INF

Max. operating temperature

+150°C

Channels#

1

Content

1pc(s)

Power (max) P(TOT)

1.8W

Manufacturer

Infineon Technologies

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP149

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET N-Channel 200V 0.66A SOT223 Infineon BSP149 N-channel MOSFET Transistor, 0.66 A, 200 V Depletion, 4-Pin SOT-223

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.61

Part Package Code

SOT-223

Drain Current-Max (ID)

0.66 A

系列

SIPMOS®

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

N channel

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

DEPLETION MODE

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.48 A

漏极-源极导通最大电阻

1.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2.6 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W