Infineon BSP170P

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP170P

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET P-Channel 60V 1.9A SOT223

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.29

Drain Current-Max (ID)

1.9 A

系列

*

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.9 A

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7.6 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

70 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W