Infineon BSP299
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BSP299
1211-BSP299
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N CHANNEL MOSFET, 500V, 400mA, SOT-223, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:400mA, Drain Source Voltage Vds:500V, On Resistance Rds(on):4ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: Yes
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BSP299详情
Infineon BSP299重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Product Status
活跃
厂商
PEI-Genesis
Package
Bulk
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
BSP299
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.32
Part Package Code
SOT-223
Drain Current-Max (ID)
0.4 A
系列
*
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
4 Ω
DS 击穿电压-最小值
500 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSP299拓展信息







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