Infineon BSP316P

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature Max Deg. C

130C

Switch Configuration

N.O.

Contact Resistance Max

150(mohm)

Current Carry(Max)

1.25(A)

Operating Temp Range

-40C to 130C

Product Diameter (mm)

2.2(mm)

Mounting Styles

通孔

Operating Time(Max)

0.5(ms)

Release Time(Max)

0.1(ms)

Contact Materials

Rhodium

Glass Length

14(mm)

Operating Temperature Min Deg. C

-40C

Rad Hardened

无

AC Voltage Rating (Max)

180

DC Voltage Rating (Max)

180

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSP316P

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET P-Channel 100V 0.68A SOT223 Infineon BSP316P P-channel MOSFET Transistor, 0.68 A, -100 V, 4-Pin SOT-223

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.26

Part Package Code

SOT-223

Drain Current-Max (ID)

0.68 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

触点形式

表格A

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.68 A

漏极-源极导通最大电阻

1.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2.72 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大额定电流

0.5(A)

最大耗散功率(Abs)

1.8 W

产品长度(mm)

44.3(mm)