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BSP318S

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Infineon BSP318S

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对比

型号

BSP318S

品牌

utmel 编号

1211-BSP318S

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.6A, SOT-223, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.6A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.07ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:1.6V RoHS Compliant: Yes

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BSP318S

BSP318S Infineon MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.6A, SOT-223, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.6A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.07ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:1.6V RoHS Compliant: Yes

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BSP318S详情

技术参数

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Infineon BSP318S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number

BSP318S
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Siemens
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

西门子 A G
Risk Rank

7.71
Drain Current-Max (ID)

2.6 A
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PDSO-G4
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω
DS 击穿电压-最小值

60 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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