BSP372详情
Infineon BSP372重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
4
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BSP372
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Package Code
SOT-223
Package Description
ROHS COMPLIANT, SOT-223, 4 PIN
Risk Rank
5.1
Drain Current-Max (ID)
1.7 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
110 ns
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
1.8 W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
不含卤素
漏源电压 (Vdss)
100 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
1.7 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大双电源电压
100 V
漏极-源极导通最大电阻
0.31 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6.8 A
输入电容
415 pF
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
45 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.8 W
漏源电阻
310 mΩ
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
BSP372拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








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