BSR302N
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Infineon BSR302N

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型号

BSR302N

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BSR302N

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BSR302N datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel

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BSR302N Infineon

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BSR302N详情

Infineon BSR302N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Lead, Tin

  • 底架

    通孔

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BSR302N

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.8

  • Part Package Code

    SC-59

  • Drain Current-Max (ID)

    3.7 A

  • 包装

    Tape & Reel

  • 容差

    1 %

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    100 ppm/°C

  • 电阻

    33.2 Ω

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 组成

    Metal Film

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 军用标准

    MIL-PRF-39017

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.023 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    14.7 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    30 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 长度

    11.43 mm

  • 直径

    3.51 mm

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    compliant

0个相似型号

技术文档: Infineon BSR302N.

BSR302N拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS