BSS119 H6327详情
Infineon BSS119 H6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module, SMA Connectors
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Box
厂商
Anatech Electronics Inc.
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSS119H6327
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.62
Drain Current-Max (ID)
0.17 A
系列
-
尺寸/尺寸
1.750 L x 1.000 W (44.45mm x 25.40mm)
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
频率
2.672GHz Center
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
带宽
240MHz
过滤器类型
带通
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
6 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
插入损耗
0.7dB
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
4.1 pF
纹波,纹波
0.1dB
高度(最大)
0.500 (12.70mm)
BSS119 H6327拓展信息








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