Infineon BSS131H6327XT

安装类型

支架安装

包装/外壳

SOT-23-3

表面安装

YES

Package

Bulk

Base Product Number

S57212

厂商

TE Connectivity Laird

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

240 V

Typical Turn-On Delay Time

3.3 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.4 V

Qualification

AEC-Q101

Pd - Power Dissipation

360 mW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.000282 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

9000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

0.06 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000702620 BSS131 H6327 BSS131H6327XTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

2.1 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

7.7 Ohms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

13.7 ns

Id - Continuous Drain Current

110 mA

Package Description

,

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSS131H6327XT

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Infineon,Trans BSS131H6327XT Infineon BSS131H6327XT N-channel MOSFET Transistor, 0.11 A, 240 V, 3-Pin SOT-23

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.7

系列

-

包装

MouseReel

终端

SMA 母头

应用

WiMax™

子类别

MOSFETs

技术

Si

入口保护

-

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

上升时间

3.1 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

增益

12dBi

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.11 A

频率范围

5.725GHz ~ 5.825GHz

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

无线电频率系列/标准

WiFi

天线类型

Panel

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

电压驻波比

1.5

频带数量

1

频率组

SHF (f > 4GHz)

频率(中心/波段)

5.8GHz

回报损失

-

产品

MOSFET小信号

特征

Cable - 254mm

产品类别

MOSFET

宽度

1.3 mm

高度

1.1 mm

长度

2.9 mm

高度(最大)

-

达到SVHC

compliant