Infineon BSS139H6327XT

触点镀层

Silver

底架

Panel

包装/外壳

SOT-23-3

Contact Materials

Silver

RoHS

Compliant

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

250 V

Typical Turn-On Delay Time

5.8 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.1 V

Qualification

AEC-Q101

Pd - Power Dissipation

360 mW

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.000282 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

6000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

60 mS

Channel Mode

Depletion

Part # Aliases

H6327 BSS139 SP000702610 BSS139H6327XTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

2.3 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

7.8 Ohms

Typical Turn-Off Delay Time

29 ns

Id - Continuous Drain Current

100 mA

包装

Bulk

系列

BSS139

终端

Solder

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-30 °C

子类别

MOSFETs

技术

Si

配置

Single

通道数量

1 Channel

最大额定电压（交流）

250 V

投掷配置

DPDT

最大额定电压（直流）

28 V

上升时间

5.4 ns

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

产品

MOSFET小信号

产品类别

MOSFET

宽度

1.3 mm

高度

1.1 mm

长度

2.9 mm

辐射硬化

无