BSS192P详情
Infineon BSS192P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSS192P
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.06
Part Package Code
SOT-89
Drain Current-Max (ID)
0.19 A
操作温度
-10°C ~ 70°C
系列
SXT214
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
兆赫晶体
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
50 MHz
频率稳定性
±25ppm
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-F3
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
60 Ohms
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
负载电容
11pF
操作模式
Fundamental
箱体转运
DRAIN
频率容差
±20ppm
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.19 A
漏极-源极导通最大电阻
12 Ω
DS 击穿电压-最小值
250 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1 W
反馈上限-最大值 (Crss)
8 pF
座位高度(最大)
0.020 (0.50mm)
评级结果
-
BSS192P拓展信息








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