BSS205NH6327XT详情
Infineon BSS205NH6327XT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Wide 1206 (3216 Metric), 0612
供应商器件包装
0612
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
厂商
TE Connectivity 无源产品
Product Status
活跃
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Typical Turn-On Delay Time
5.8 ns
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
950 mV
Qualification
AEC-Q101
Pd - Power Dissipation
500 mW
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 12 V, + 12 V
Unit Weight
0.000282 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
9000
Mounting Styles
SMD/SMT
Forward Transconductance - Min
8.5 S
Channel Mode
Enhancement
Part # Aliases
SP000929180 BSS205NH6327XTSA1
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Qg - Gate Charge
2.1 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
40 mOhms
RoHS
Details
Typical Turn-Off Delay Time
11 ns
Id - Continuous Drain Current
2.5 A
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
3430
包装
MouseReel
尺寸/尺寸
0.061 L x 0.118 W (1.55mm x 3.00mm)
容差
±1%
终止次数
2
温度系数
±100ppm/°C
电阻
1 Ohms
组成
厚膜
功率(瓦特)
1.5W
子类别
MOSFETs
技术
Si
失败率
-
配置
Single
通道数量
1 Channel
上升时间
2.9 ns
产品类别
MOSFET
晶体管类型
1 N-Channel
特征
Automotive AEC-Q200
产品类别
MOSFET
座位高度(最大)
0.026 (0.65mm)
宽度
1.3 mm
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
评级结果
AEC-Q200
BSS205NH6327XT拓展信息








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