Infineon BSS284E-6327

包装/外壳

8-PowerSMD, Flat Leads

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

8-DFN (5x6)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2.3W (Ta), 83W (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A (Ta), 85A (Tc)

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

BSS284E-6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Siemens

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

西门子 A G

Risk Rank

5.15

Drain Current-Max (ID)

0.13 A

包装

Tape & Reel (TR)

系列

--

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5 mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3800pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

51nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

10 Ω

DS 击穿电压-最小值

50 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

--

反馈上限-最大值 (Crss)

12 pF