Infineon BSS308PEH6327XT

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SOT-23

Lead Free Status / RoHS Status

--

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Typical Turn-On Delay Time

5.6 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Qualification

AEC-Q101

Pd - Power Dissipation

500 mW

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.000282 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

9000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

4.6 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000928942 BSS308PEH6327XTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

5 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

62 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

15.3 ns

Id - Continuous Drain Current

2 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

类型

Zener

应用

汽车

子类别

MOSFETs

技术

Si

配置

Single

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

39V

功率 - 脉冲峰值

248W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

3.5A (8/20µs)

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

71V

电压 - 反向断态（典型值）

36V (Max)

单向通道

2

上升时间

7.7 ns

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 P-Channel

电容@频率

52pF @ 1MHz

产品类别

MOSFET

宽度

1.3 mm

高度

1.1 mm

长度

2.9 mm