BSS670S2LH6327XT详情
Infineon BSS670S2LH6327XT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55 V
Typical Turn-On Delay Time
9 ns
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V
Qualification
AEC-Q101
Pd - Power Dissipation
360 mW
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Unit Weight
0.000282 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
12000
Mounting Styles
SMD/SMT
Forward Transconductance - Min
600 mS
Channel Mode
Enhancement
Part # Aliases
SP000928950 BSS670S2LH6327XTSA1
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Qg - Gate Charge
1.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
346 mOhms
RoHS
Details
Typical Turn-Off Delay Time
21 ns
Id - Continuous Drain Current
540 mA
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SG-8101
包装
MouseReel
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
类型
XO (Standard)
子类别
MOSFETs
技术
Si
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
频率
7.6275 MHz
频率稳定性
±15ppm
输出量
CMOS
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
电流 - 电源(禁用)(最大值)
1.1µA
配置
Single
通道数量
1 Channel
扩频带宽
-
上升时间
25 ns
产品类别
MOSFET
晶体管类型
1 N-Channel
绝对牵引范围 (APR)
-
产品类别
MOSFET
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
宽度
1.3 mm
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
评级结果
-
BSS670S2LH6327XT拓展信息








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