Infineon BSS83P

包装/外壳

0402 (1005 Metric)

表面安装

YES

供应商器件包装

0402

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Base Product Number

RN73R1E

厂商

KOA Speer Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Enclosure

TO 236 3

Manuf. code

INF

Max. operating temperature

+150°C

Channels#

1

Content

1pc(s)

Power (max) P(TOT)

360mW

Manufacturer

Infineon Technologies

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSS83P

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.14

Part Package Code

SOT-23

Drain Current-Max (ID)

0.33 A

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

RN73R

尺寸/尺寸

0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)

容差

±1%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±25ppm/°C

类型

P channel

电阻

487 Ohms

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

组成

Thin Film

功率(瓦特)

0.063W, 1/16W

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

失败率

-

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.33 A

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

反馈上限-最大值 (Crss)

9 pF

特征

Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant

座位高度(最大)

0.016 (0.40mm)

评级结果

AEC-Q200