BUZ102SL-E3045详情
Infineon BUZ102SL-E3045重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-214AB, SMC
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-214AB (SMCJ)
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
SMCJ40
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Package Description
PLASTIC, TO-263, 3 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
175 °C
Manufacturer Part Number
BUZ102SLE3045
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.29
Part Package Code
D2PAK
Drain Current-Max (ID)
47 A
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
通用型
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
电源线保护
无
电压 - 击穿
44.4V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
23.2A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
64.5V
电压 - 反向断态(典型值)
40V
晶体管应用
SWITCHING
单向通道
1
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
电容@频率
-
最大漏极电流 (Abs) (ID)
47 A
漏极-源极导通最大电阻
0.024 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
188 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
245 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
120 W
达到SVHC
compliant
BUZ102SL-E3045拓展信息








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