Infineon BUZ111SE3045

安装类型

通孔

包装/外壳

Axial

表面安装

YES

供应商器件包装

Axial

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Frequency-Self-Resonant

11MHz

Inductance Frequency-Test

790kHz

Material-Core

Ferrite

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.71

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

80 A

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BUZ111SE3045

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Style

小概要

Package Description

PLASTIC, TO-263, 3 PIN

操作温度

-55°C ~ 105°C

系列

MS75085

包装

--

尺寸/尺寸

0.095 Dia x 0.250 L (2.42mm x 6.35mm)

容差

±10%

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

类型

Molded

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

屏蔽/屏蔽

Unshielded

Reach合规守则

compliant

额定电流

61mA

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电感,电感

150µH

直流电阻（DCR）

15 Ohm Max

操作模式

增强型MOSFET

谐振@频率

30 @ 790kHz

饱和电流

--

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.008 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

300 W

特征

--

座位高度(最大)

--

评级结果

--