Infineon BUZ30ASMDG

底架

Screw

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUZ30ASMDG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.66

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

21 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

15 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

极数

1

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21 A

漏极-源极导通最大电阻

0.13 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W