Infineon BUZ312

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BUZ312

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

6 A

系列

105

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

连接器类型

DIP to DIP, Reversed

定位的数量

18

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

颜色

Multiple, Ribbon

行数

2

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

屏蔽/屏蔽

Unshielded

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

触点表面处理

Gold

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

电缆终端

Solder

使用方法

--

间距--连接器

0.100 (2.54mm)

间距--电缆

0.050 (1.27mm)

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-218AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6 A

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

830 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

特征

--

长度

1.00 (304.80mm)

触点表面处理厚度

10.0µin (0.25µm)