Infineon BUZ331

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

8

Package

Bulk

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Style

FLANGE MOUNT

Drain Current-Max (ID)

8 A

Risk Rank

5.38

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BUZ331

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

未说明

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-218

漏极-源极导通最大电阻

0.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

570 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

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