BUZ91A
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Infineon BUZ91A

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型号

BUZ91A

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-BUZ91A

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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BUZ91A Infineon Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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BUZ91A详情

Infineon BUZ91A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    BUZ91A

  • Turn-on Time-Max (ton)

    140 ns

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Siemens

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Samacsys Description

    SIPMOS Power Transistor

  • Ihs Manufacturer

    西门子 A G

  • Turn-off Time-Max (toff)

    430 ns

  • Risk Rank

    5.28

  • Part Package Code

    SFM

  • Drain Current-Max (ID)

    8 A

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.9 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    32 A

  • DS 击穿电压-最小值

    600 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    570 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    100 pF

  • 环境耗散-最大值

    150 W

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技术文档: Infineon BUZ91A.

BUZ91A拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS