Infineon CY14B104N-BA25XC

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFBGA

供应商器件包装

48-FBGA (6x10)

RoHS

Non-Compliant

Package

Tube

Base Product Number

CY14B104

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Non-Volatile

包装

Tape & Reel

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

容差

1 %

温度系数

50 ppm/°C

电阻

63.4 kΩ

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

额定功率

500 mW

技术

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

军用标准

MIL-PRF-55182

内存大小

4Mbit

访问时间

25 ns

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

组织的记忆

256K x 16

宽度

4.57 mm

长度

17.45 mm

直径

4.57 mm

辐射硬化

无

无铅

含铅