CY14B512J2-SXIT详情
Infineon CY14B512J2-SXIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装
8-SOIC
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
CY14B512
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
温度系数
400.0000 ppm/°C
电阻
1 Ohm
额定功率
2.0000 W
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
电阻器类型
High Reliability, MIL-PRF-39007
内存大小
512Kbit
时钟频率
3.4 MHz
内存格式
NVSRAM
内存接口
I²C
写入周期时间 - 字符、页面
-
电阻公差
0.1
组织的记忆
64K x 8
产品长度
10.31
CY14B512J2-SXIT拓展信息
Infineon
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