CY15B104QI-20LPXIT详情
Infineon CY15B104QI-20LPXIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-UQFN
供应商器件包装
8-GQFN (3.23x3.28)
RoHS
Non-Compliant
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
包装
Bulk
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
Excelon™-LP,F-RAM™
容差
0.1 %
温度系数
50 ppm/°C
电阻
120 Ω
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Metal Film
子类别
Memory & Data Storage
额定功率
500 mW
技术
FRAM (Ferroelectric RAM)
电压 - 供电
1.8V ~ 3.6V
军用标准
MIL-PRF-55182
内存大小
4Mbit
时钟频率
20 MHz
访问时间
20 ns
内存格式
FRAM
内存接口
SPI
写入周期时间 - 字符、页面
-
产品类别
FRAM
产品类别
F-RAM
组织的记忆
512K x 8
宽度
4.57 mm
长度
17.45 mm
直径
4.57 mm
无铅
含铅
CY15B104QI-20LPXIT拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
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Infineon
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