CY2308SI-1H详情
Infineon CY2308SI-1H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220AB
Package
Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Panjit International Inc.
Power Dissipation (Max)
80W (Tc)
Product Status
Obsolete
Base Product Number
CY2308
Frequency-Max
133.3MHz
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
类型
Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
输出量
LVCMOS
电路数量
1
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
385 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
1000 V
Vgs(最大值)
±30V
输入
LVCMOS, LVTTL
比率-输入:输出
1:8
锁相环
是,带旁通
差分 - 输入:输出
No/No
除法器/乘法器
No/No
场效应管特性
-
CY2308SI-1H拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








哦! 它是空的。