Infineon CY62167DV30LL-55BVXI

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-VFBGA

表面安装

YES

引脚数

48

供应商器件包装

48-VFBGA (8x9.5)

终端数量

48

Supplier Package

VFBGA

Typical Operating Supply Voltage

3.0000 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.2 V

Timing Type

Asynchronous

Number of Words

1 MWords

Number of I/O Lines

16 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Mounting

表面贴装

Package

Tray

Base Product Number

CY62167

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

-

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Unit Weight

0.007873 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1050

Supply Voltage-Min

2.2 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Tradename

MoBL

RoHS

Details

Package Description

VFBGA, BGA48,6X8,30

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY62167DV30LL-55BVXI

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

VFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.96

Part Package Code

BGA

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

MoBL®

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Asynchronous

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.2V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

16Mbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

30 mA

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1 M x 16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

20 Bit

产品类别

SRAM

密度

16 Mb

待机电流-最大值

0.00001 A

记忆密度

16777216 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1.5 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.2 V

产品类别

SRAM

组织的记忆

1M x 16

宽度

8 mm

长度

9.5 mm