CY62256LL-55SNXIT详情
Infineon CY62256LL-55SNXIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
供应商器件包装
28-SOIC
RoHS
Compliant
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
CY62256
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
MoBL®
容差
5 %
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
电容量
10 nF
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
深度
1.6 mm
电介质
PPS
内存大小
256Kbit
访问时间
55 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
组织的记忆
32K x 8
长度
3.2 mm
辐射硬化
无
CY62256LL-55SNXIT拓展信息
Infineon
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