CY62256LL-70SNXI详情
Infineon CY62256LL-70SNXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
P600-2
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
28-SOIC
Breakdown Voltage / V
12.2 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vesd - Voltage ESD Contact
30 kV
Unit Weight
0.071959 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
500
Ipp - Peak Pulse Current
184.8 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
3 kW
Manufacturer
Panjit
Brand
Panjit
RoHS
Details
Vesd - Voltage ESD Air Gap
30 kV
Package
Tube
Base Product Number
CY62256
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Memory Types
Volatile
包装
Bulk
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
MoBL®
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
终端样式
Axial
工作电压
11 V
极性
单向
通道数量
1 Channel
内存大小
256Kbit
访问时间
70 ns
箝位电压
18.2 V
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
产品类别
TVS 二极管
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
组织的记忆
32K x 8
CY62256LL-70SNXI拓展信息
Infineon
Infineon
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