CY62256LL-70SNXI
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Infineon CY62256LL-70SNXI

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型号

CY62256LL-70SNXI

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-CY62256LL-70SNXI

商品类别

存储器

封装

P600-2

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC

起订量

1最小包装量--

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CY62256LL-70SNXI
CY62256LL-70SNXI Infineon IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC

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CY62256LL-70SNXI详情

Infineon CY62256LL-70SNXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    P600-2

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    28-SOIC

  • Breakdown Voltage / V

    12.2 V

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • Vesd - Voltage ESD Contact

    30 kV

  • Unit Weight

    0.071959 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    500

  • Ipp - Peak Pulse Current

    184.8 A

  • Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

    3 kW

  • Manufacturer

    Panjit

  • Brand

    Panjit

  • RoHS

    Details

  • Vesd - Voltage ESD Air Gap

    30 kV

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    CY62256

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    Obsolete

  • Memory Types

    Volatile

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 系列

    MoBL®

  • 子类别

    TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

  • 技术

    SRAM - Asynchronous

  • 电压 - 供电

    4.5V ~ 5.5V

  • 终端样式

    Axial

  • 工作电压

    11 V

  • 极性

    单向

  • 通道数量

    1 Channel

  • 内存大小

    256Kbit

  • 访问时间

    70 ns

  • 箝位电压

    18.2 V

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    70ns

  • 产品类别

    TVS 二极管

  • 产品类别

    ESD Suppressors / TVS Diodes

  • 组织的记忆

    32K x 8

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技术文档: Infineon CY62256LL-70SNXI.

CY62256LL-70SNXI拓展信息

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