CY7C1007D-10VXIT详情
Infineon CY7C1007D-10VXIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
供应商器件包装
28-SOJ
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Base Product Number
CY7C1007
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C ~ 85°C
系列
SXT324
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
类型
兆赫晶体
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
频率
52 MHz
频率稳定性
±50ppm
ESR(等效串联电阻)
35 Ohms
内存大小
1Mbit
负载电容
19pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±20ppm
访问时间
10 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
组织的记忆
1M x 1
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
评级结果
-
CY7C1007D-10VXIT拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








哦! 它是空的。