CY7C1049D-10VXIT
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Infineon CY7C1049D-10VXIT

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型号

CY7C1049D-10VXIT

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-CY7C1049D-10VXIT

商品类别

存储器

封装

TO-220-2

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

起订量

1最小包装量--

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CY7C1049D-10VXIT
CY7C1049D-10VXIT Infineon IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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CY7C1049D-10VXIT详情

Infineon CY7C1049D-10VXIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-2

  • 供应商器件包装

    TO-220AC

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    CY7C1049

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    Obsolete

  • Memory Types

    Volatile

  • 系列

    HEXFRED®

  • 包装

    Tube

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 零件状态

    Discontinued at Digi-Key

  • 技术

    SRAM - Asynchronous

  • 电压 - 供电

    4.5V ~ 5.5V

  • 基本部件号

    HFA08TB60

  • 内存大小

    4Mbit

  • 速度

    Fast Recovery = 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    5µA @ 600V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.7V @ 8A

  • 访问时间

    10 ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 工作温度 - 结点

    -55°C ~ 150°C

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    600V

  • 平均整流电流(Io)

    8A

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    10ns

  • 电容@Vr, F

    --

  • 反向恢复时间(trr)

    55ns

  • 组织的记忆

    512K x 8

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技术文档: Infineon CY7C1049D-10VXIT.

CY7C1049D-10VXIT拓展信息

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