CY7C1474BV33-200BGI详情
Infineon CY7C1474BV33-200BGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
209-BGA
供应商器件包装
209-FBGA (14x22)
Qualification
AEC-Q200
Voltage, Rating
200V
Package
Tray
Base Product Number
CY7C1474
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
NoBL™
温度系数
100ppm/°C
电阻
100kohm
额定功率
250mW
技术
SRAM - Synchronous, SDR
电压 - 供电
3.135V ~ 3.6V
电阻器类型
通用型
内存大小
72Mbit
时钟频率
200 MHz
访问时间
3 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
-
电阻公差
± 1%
组织的记忆
1M x 72
产品长度
3.1mm
产品宽度
1.6mm
CY7C1474BV33-200BGI拓展信息
Infineon
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