CY9AFB42NBBGL-GE1详情
Infineon CY9AFB42NBBGL-GE1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
P600-2
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
112-PFBGA (10x10)
Breakdown Voltage / V
144 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vesd - Voltage ESD Contact
30 kV
Unit Weight
0.071959 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
500
Ipp - Peak Pulse Current
24 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
5 kW
Manufacturer
Panjit
Brand
Panjit
RoHS
Details
Vesd - Voltage ESD Air Gap
30 kV
Number of I/Os
83
Package
Tray
Base Product Number
CY9AFB42
厂商
Infineon Technologies
Data Converters
A/D 24x12b
Product Status
Obsolete
包装
Bulk
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
FM3 MB9AB40NB
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
电压 - 供电
1.65V ~ 3.6V
终端样式
Axial
工作电压
130 V
极性
单向
通道数量
1 Channel
振荡器类型
Internal
速度
40MHz
内存大小
16K x 8
核心处理器
ARM® Cortex®-M3
周边设备
DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
程序存储器类型
FLASH
芯尺寸
32-Bit Single-Core
程序内存大小
160KB (160K x 8)
连接方式
CSIO, EBI/EMI, I²C, UART/USART, USB
箝位电压
209 V
产品类别
TVS 二极管
EEPROM 大小
-
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
CY9AFB42NBBGL-GE1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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