CYDD09S36V18-167BBXC详情
Infineon CYDD09S36V18-167BBXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
底座安装
包装/外壳
256-LBGA
供应商器件包装
256-FBGA (17x17)
Package
Bulk
厂商
Siemens
Product Status
活跃
Contact Materials
-
CoilResistance
-
Base Product Number
CYDD
Memory Types
Volatile
操作温度
-20°C ~ 40°C
系列
-
技术
SRAM - Dual Port, Synchronous
电压 - 供电
1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
终端样式
螺旋端子
内存大小
9Mbit
时钟频率
167 MHz
访问时间
600 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
触点形式
4PST-NO (4 Form A)
写入周期时间 - 字符、页面
-
运行时间
29 ms
线圈电压
277VAC
切换电压
600VAC - Max
发布时间
24 ms
必须运行电压
235.5 VAC
触点额定值(电流)
9 A
线圈功率
218VA
必须释放电压
-
特征
辅助触点
组织的记忆
128K x 36 x 2 (DDR)
CYDD09S36V18-167BBXC拓展信息
Infineon
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