Infineon CYDD18S36V18-200BBXC

安装类型

表面贴装

包装/外壳

256-LBGA

供应商器件包装

256-FBGA (17x17)

RoHS

Non-Compliant

Package

Tray

Base Product Number

CYDD

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

技术

SRAM - Dual Port, Synchronous

电压 - 供电

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

内存大小

18Mbit

时钟频率

200 MHz

访问时间

500 ps

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

-

组织的记忆

256K x 36 x 2 (DDR)