FRF150R3详情
Infineon FRF150R3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
FRF150R3
Turn-on Time-Max (ton)
762 ns
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Harris Semiconductor
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Turn-off Time-Max (toff)
1132 ns
Risk Rank
8.65
Drain Current-Max (ID)
25 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
辐射硬化
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-MSFM-P3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-254AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
25 A
漏极-源极导通最大电阻
0.07 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
75 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
环境耗散-最大值
125 W
FRF150R3拓展信息








哦! 它是空的。