Infineon FS8205

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

6 A

Ihs Manufacturer

FORTUNE SEMICONDUCTOR CORP

Manufacturer

Fortune Semiconductor Corp

Manufacturer Part Number

FS8205

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

接触制造商

Risk Rank

5.69

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6 A

漏极-源极导通最大电阻

0.028 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1 W