Infineon HYB25DC128169EE-6

表面安装

YES

终端数量

66

Package Description

TSSOP, TSSOP66,.46

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Number of Words Code

8000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP66,.46

Access Time-Max

0.7 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HYB25DC128169EE-6

Clock Frequency-Max (fCLK)

166 MHz

Number of Words

8388608 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

TSSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Qimonda AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

QIMONDA AG

Risk Rank

5.84

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

端子间距

0.635 mm

JESD-30代码

R-PDSO-G66

资历状况

不合格

电源

2.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电流-最大值

0.3 mA

组织结构

8MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

134217728 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

4096

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8

达到SVHC

unknown