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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥34.936466
10
¥32.958931
100
¥31.093333
500
¥29.33333
1000
¥27.672954
IDT10S60C详情
Infineon IDT10S60C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-2
引脚数
2
供应商器件包装
PG-TO220-2-2
Voltage Rating (DC)
600 V
RoHS
Compliant
Package
Bulk
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
系列
thinQ!™
终端
通孔
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
额定电流
10 A
极性
Standard
元素配置
Single
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型
碳化硅肖特基
反向泄漏电流@ Vr
140 µA @ 600 V
输出电流
10 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 10 A
正向电流
10 A
最大反向漏电电流
140 µA
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
最大浪涌电流
84 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
600 V
平均整流电流(Io)
10A (DC)
正向电压
1.7 V
峰值反向电流
140 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
600 V
电容@Vr, F
480pF @ 1V, 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
84 A
最大正向浪涌电流(Ifsm)
84 A
重复峰值反向电压
600
反向恢复时间(trr)
0 ns
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
IDT10S60C拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







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