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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.09514
10
¥12.353905
100
¥11.654629
500
¥10.994931
1000
¥10.372574
IDV03S60C详情
Infineon IDV03S60C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-2 Full Pack
引脚数
2
供应商器件包装
PG-TO220-2-22
RoHS
Compliant
Package
Bulk
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
系列
thinQ!™
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
元素配置
Single
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型
碳化硅肖特基
反向泄漏电流@ Vr
30 µA @ 600 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.9 V @ 3 A
正向电流
3 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
600 V
平均整流电流(Io)
3A (DC)
正向电压
1.9 V
最大反向电压(DC)
600 V
平均整流电流
3 A
反向恢复时间
0 s
峰值反向电流
30 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
600 V
电容@Vr, F
90pF @ 1V, 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
16 A
最大正向浪涌电流(Ifsm)
16 A
反向恢复时间(trr)
0 ns
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
IDV03S60C拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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