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IGD01N120H2XT
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Infineon IGD01N120H2XT

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型号

IGD01N120H2XT

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IGD01N120H2XT

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: IGD01N120H2BUMA1)

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IGD01N120H2XT
IGD01N120H2XT Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: IGD01N120H2BUMA1)

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IGD01N120H2XT详情

技术参数

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Infineon IGD01N120H2XT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Manufacturer Part Number

    IGD01N120H2XT

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Risk Rank

    5.75

  • Rohs Code

    有

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 集电极电流-最大值(IC)

    3.2 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

0个相似型号

技术文档: Infineon IGD01N120H2XT.

IGD01N120H2XT拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS