Infineon IPB049N06L3G

表面安装

YES

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

8

供应商器件包装

PG-TO263-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IPB049N06L3G

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

D2PAK

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

5.8

Drain Current-Max (ID)

80 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

56 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

115W (Tc)

Product Status

活跃

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

OptiMOS™ 3

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

62.5 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

115 W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5mOhm @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 58µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8400 pF @ 30 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

250 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

10.9 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0047 Ω

漏源击穿电压

60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

输入电容

920 pF

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

77 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

115 W

场效应管特性

-

漏源电阻

4.7 mΩ

最大rds

165 mΩ