IPC80N04S4-03详情
Infineon IPC80N04S4-03重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IPC80N04S4-03
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.82
Drain Current-Max (ID)
80 A
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-F3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0033 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
215 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
compliant
IPC80N04S4-03拓展信息








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