Infineon IPL65R190E6

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

2A

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPL65R190E6

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.81

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

S-PSSO-N4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.19 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

66 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

485 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

compliant