IPP70P04P4-09
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Infineon IPP70P04P4-09

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型号

IPP70P04P4-09

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IPP70P04P4-09

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-Ch -40V -70A TO220-3 OptiMOS-P2

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IPP70P04P4-09 Infineon MOSFET P-Ch -40V -70A TO220-3 OptiMOS-P2

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IPP70P04P4-09详情

Infineon IPP70P04P4-09重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IPP70P04P4-09

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.74

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    72 A

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    72 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0094 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    288 A

  • DS 击穿电压-最小值

    40 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    24 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    75 W

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IPP70P04P4-09拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS