IPP80P03P4-05详情
Infineon IPP80P03P4-05重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IPP80P03P4-05
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Samacsys Description
Infineon IPP80P03P4-05 P-channel MOSFET Transistor, 80 A, -30 V, 3-Pin TO-220
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
8.48
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
80 A
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
80 A
漏极-源极导通最大电阻
0.005 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
410 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
137 W
达到SVHC
compliant
IPP80P03P4-05拓展信息








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