Infineon IPS06N03LA

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

MSL

n/a

Dimensions

1,6x0,8mm

Insulation Voltage

100 V

RoHS

有

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

IPS06N03LA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.74

Part Package Code

TO-251AA

Drain Current-Max (ID)

50 A

系列

n/a

容差

±1 %

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.7 kOhm

端子表面处理

哑光锡

组成

厚膜

附加功能

逻辑电平兼容

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

n/a

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

大小

0603

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0096 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

350 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

225 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

83 W

额定功率

0,1 W

高度

0,45 mm