Infineon IPS65R1K5CE

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current

5.2(A)

Drain-Source On-Volt

650(V)

Operating Temperature Classification

汽车

Operating Temp Range

-40C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

20(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Package Description

IPAK-3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPS65R1K5CE

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.52

包装

Rail/Tube

类型

功率MOSFET

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3 +Tab

JESD-30代码

R-PSIP-T3

极性

N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

28(W)

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8.3 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

26 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR