Infineon IPU60R2K0C6

包装/外壳

TO-251-3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Typical Turn-On Delay Time

7 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Pd - Power Dissipation

22.3 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.011993 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1500

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000931528 IPU60R2K0C6BKMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

6.7 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

1.8 Ohms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

30 ns

Id - Continuous Drain Current

2.4 A

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPU60R2K0C6

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.62

系列

XPU60R2

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

7 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-251AA

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

11 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

产品类别

MOSFET

宽度

2.38 mm

高度

6.22 mm

长度

6.73 mm