Infineon IRF611-009PBF

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF611-009PBF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.63

Drain Current-Max (ID)

3.3 A

包装

Tape & Reel

容差

10 %

JESD-609代码

e3

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

600 ppm/°C

电阻

100 mΩ

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

275 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Wirewound

额定功率

1 W

最大功率耗散

1 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8 A

DS 击穿电压-最小值

150 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

长度

11.684 mm

直径

4.32 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant